>台积电是全球最大的芯片代工厂，拥有着目前最先进的大规模量产技术和全球最大的芯片产能。

根据媒体报道称，台积电计划在今年下半年开始量产3纳米工艺，不过第一代3纳米工艺，依然采用的是FinFet技术。

看到这里，有的朋友可能就会有点迷糊了，这个FinFet又是什么呢？其实并不难理解，FinFet是晶体管的一种类型。

我们知道，芯片就是由数十亿乃至上千亿的晶体管所组成，但是晶体管在不断发展的过程中，也在不断的变化着类型。

其目的，就是因为制造工艺的不断先进，晶体管的特征尺寸必须要变小，所以其类型也要跟着改变。

FinFet工艺的晶体管，最早用于22纳米工艺，直到现在，采用先进工艺的芯片，其实都是FinFet晶体管，不过三星计划其第一代3纳米工艺，就直接采用GAA工艺。

但是我们近日看到，中科院微电子所官网发文，朱慧珑研究员课题组在GAA领域已经申请了专利120多项，实现了世界上首个具备自对准栅极的GAA晶体管技术。

事实上，该技术是对GAA技术的升级版，是一种新型的GAA晶体管工艺，其中一个重要特征，就是该技术可以实现沟道尺寸这个特征尺寸达到纳米级别。

其实在10纳米之前，芯片代工厂都是以沟道尺寸作为芯片的制造工艺，但是之后因为制造难度变大，主要是沟道尺寸越小，漏电率越高，导致芯片“高温低能”，就改变了这个标准。

这就是为什么台积电的7纳米工艺，在晶体管的集成度上，其实等效英特尔的10纳米工艺。

而现在英特尔后知后觉，也效仿起了台积电和三星，将其7纳米工艺命名为intel4。

所以虽然台积电、三星等号称是5纳米等，但是沟道尺寸并不是5纳米，只是在其他器件尺寸上做到了5纳米。

而此次中科院，是在沟道尺寸、栅极、栅极位置、掺杂分布等关键器件都做到了纳米级精准控制，因此其主要器件电学性能超过了目前已报道的同类器件，属于世界领先水平。

不仅如此，在精度上，也优于现有的光刻技术水平，在量产上，可以兼容现有技术工艺，对现有工艺不用进行太大波动，为大规模量产奠定了基础。

目前该技术获得了科技部主办的首届全国颠覆性技术创新大赛最高奖项。

很显然，中科院在芯片制造技术上的突破，最敏感的就会是台积电，毕竟台积电是目前芯片制造领域的最大获利者。

例如近日有媒体报道称，台积电方面已经通知客户，明年继续涨价，幅度最高达到9%，最少也要5%。

很显然，就是因为台积电在先进工艺上的优势，才导致台积电拥有绝对的定价权。

但这次在GAA晶体管技术上，台积电算是遇到了对手，有人说中科院也不从事芯片制造呀，但是只要有了专利，那么可以发挥的空间就很大。

想必有的朋友还记得，之前媒体报道，三星要在3纳米工艺上抢占先机，但是也暴露出三星的弱点，那就是在GAA专利上弱于台积电。

所以对于三星来说，其需要更多的GAA专利来帮助其对抗台积电，因此，中科院其实是可以对三星进行技术授权。

当然，由于我们拥有了相关的GAA专利，如果以后台积电侵权，我们也可以借此维护自己的权利，甚至要求台积电停产。

类似的事件并非没有发生过，例如在FinFet专利上，中科院微电子所就曾经状告英特尔侵权，要求赔偿至少2亿。

所以中科院微电子所在芯片制造方面有着很强的实力，只不过大家并不是很了解。

对于最新的芯片技术，抢占专利高地是必要的，要知道即便是发展了11年的FinFet技术，现在各大巨头的专利申请量依然高涨。

所以中科院能够在GAA方面获得先机，这对以后我们在纳米级和埃米级别的芯片制造方面打下坚实的基础，对此大家怎么看呢？欢迎评论区一起聊聊。